Рубрика: Uncategorized

Broadcom представила BCM47822L, систему на кристалле (SoC) Wi-Fi 8 (802.11bn), разработанную для корпоративных точек доступа, включая настенные панели и розетки. Устройство объединяет беспроводное подключение, сетевую обработку и вычислительные функции в единую платформу для поддержки инфраструктуры Wi-Fi следующего поколения для предприятий.

BCM47822L интегрирует четырехъядерный процессор и выделенный сетевой процессор, что устраняет необходимость во внешнем хост-процессоре. Объединяя эти функции в одном чипе, SoC может помочь снизить сложность системы, требования к площади платы и общие затраты на компоненты для производителей точек доступа.

Разработанный для корпоративных приложений Wi-Fi, BCM47822L имеет двухдиапазонную архитектуру с двумя интегрированными радиомодулями Wi-Fi 8 2×2. Он поддерживает трехдиапазонную работу WLAN в диапазонах частот 2,4 ГГц и 5/6 ГГц, что позволяет производителям точек доступа удовлетворять широкий спектр требований к корпоративной связи. Чип поддерживает работу в режиме 2×2 в диапазоне 2,4 ГГц с полосой пропускания канала 40 МГц и в режиме 2×2 в диапазонах 5/6 ГГц с полосой пропускания канала 160 МГц.
Недавно: Apple выделила более 30 миллиардов долларов на расширение производства чипов в США совместно с Broadcom.

SoC поддерживает четырехпотоковую двухдиапазонную работу 802.11bn Ultra High Reliability (UHR), ключевую возможность сетей Wi-Fi 8, направленную на повышение производительности и надежности беспроводной связи в плотных корпоративных средах. Он также включает в себя интегрированные усилители мощности 2,4 ГГц и поддержку цифровых модулей предварительной коррекции искажений третьего поколения (DPD FEM).

Микросхема BCM47822L поддерживает несколько технологий памяти, включая DDR4, LPDDR4, DDR5 и LPDDR5, что обеспечивает производителям оборудования гибкость при проектировании корпоративных сетевых продуктов. Она также интегрирует многогигабитный PHY для поддержки высокоскоростных проводных соединений, необходимых для современных точек доступа Wi-Fi.

Сочетание интегрированного процессора, поддержки Wi-Fi 8, трехдиапазонной работы и многогигабитной сети позволяет BCM47822L обеспечивать многогигабитную беспроводную производительность в компактном и энергоэффективном форм-факторе. Устройство предназначено для корпоративных платформ точек доступа Wi-Fi начального уровня и в настоящее время числится в списке активных продуктов.

Компания Microchip представила силовые модули 3,3 кВ HV-D3 mSiC, предназначенные для использования с твердотельными трансформаторами в центрах обработки данных для ИИ и других высоковольтных системах электропитания. Модули интегрируют 3,3 кВ SiC MOSFET-транзисторы и диоды Шоттки в стандартном 62-мм корпусе.

Эта новость актуальна для читателей eeNews Europe, поскольку подача питания становится ограничивающим фактором в инфраструктуре ИИ. Она также указывает на то, как устройства SiC могут помочь сократить количество этапов преобразования между сетью среднего напряжения и серверными стойками.
Модули SiC для электропитания центров обработки данных высокого напряжения

Центры обработки данных для ИИ выводят архитектуры электропитания за рамки традиционных систем на основе низкочастотных трансформаторов. Твердотельные трансформаторы изучаются как способ более прямой подачи регулируемого постоянного тока из сетей среднего напряжения, что потенциально повышает эффективность и снижает сложность системы.

Компания Microchip заявляет, что модули HV-D3 mSiC разработаны для поддержки этого перехода, особенно в условиях, когда центры обработки данных переходят к распределению постоянного тока в стойках с более высоким напряжением. Устройства поддерживают изоляцию 6 кВ, используют материалы с рейтингом CTI 600 и имеют увеличенные расстояния утечки, что позволяет обеспечить безопасное последовательное соединение в высоковольтных системах.

В модулях также используется подложка из нитрида кремния, которая обеспечивает хорошую теплопроводность и устойчивость к циклам питания. Это может помочь разработчикам увеличить плотность мощности без использования более агрессивного охлаждения.
Преодоление разрыва в области высокомощных SiC

«По мере того, как центры обработки данных для ИИ продолжают расширять границы возможностей подачи питания от сети к графическим процессорам, потребность в твердотельных трансформаторах становится все более важной», — сказал Клейтон Пиллион, вице-президент подразделения высокомощных решений Microchip. «Наши силовые модули HV-D3 mSiC на 3,3 кВ позволяют разработчикам сократить количество последовательно соединенных устройств примерно вдвое по сравнению с более низковольтными альтернативами на основе SiC при подключении к сетям 13,8 кВ или 34,5 кВ. Эти устройства также заполняют ключевой пробел на промышленном рынке для продуктов на 100–300 А, обеспечивая переход от дискретных SiC-устройств к гораздо более крупным силовым модулям».

Модули HV-D3 mSiC доступны в полумостовой и конфигурации с общим истоком, с антипараллельными диодами Шоттки и без них. Компания Microchip позиционирует их для применений на 100–300 А, включая твердотельные трансформаторы, мегаваттные зарядные устройства для тяжелой техники, вспомогательные источники питания для железных дорог, средневольтные приводы двигателей и промышленные или оборонные системы электропитания.

Компания Infineon расширила семейство двунаправленных переключателей CoolGaN BDS 40 В G3 двумя устройствами для компактных портативных систем питания. IGK048B041S и IGK120B041S предназначены для смартфонов, ноутбуков и носимых устройств, где пространство на печатной плате и эффективность силового тракта остаются жесткими ограничениями при проектировании.

Для читателей eeNews Europe это обновление актуально, поскольку оно демонстрирует, как GaN продвигается дальше в низковольтные потребительские системы питания, выходя за рамки преобразования энергии в высоковольтные системы.

Двунаправленный переключатель GaN сокращает количество компонентов

Устройства CoolGaN BDS объединяют функции двух кремниевых MOSFET-транзисторов, расположенных встречно, в одном компоненте. Infineon заявляет, что это может сократить занимаемое на печатной плате пространство до 82 процентов и уменьшить количество компонентов вдвое, потенциально упрощая компоновку в портативных системах с ограниченным пространством.

«По мере того, как потребительские устройства уменьшаются в размерах, а потребности в энергии растут, инженеры сталкиваются с растущим давлением, требующим от меньшего количества компонентов большего результата. Новые устройства CoolGaN BDS напрямую решают эту задачу», — сказал Йоханнес Шойсволь, руководитель бизнес-линии GaN в Infineon. «Каждое устройство объединяет функции двух кремниевых MOSFET-транзисторов, соединенных встречно, в одном компоненте, сокращая количество компонентов вдвое и упрощая компоновку печатных плат. Команды разработчиков могут использовать существующую компоновку драйверов, избегая дорогостоящих перепроектирований и ускоряя вывод продукции на рынок. В результате получается более компактный и экономичный путь питания».

Фокус на защите USB и мультиплексировании питания

IGK048B041S и IGK120B041S предлагаются в корпусах WLCSP размером 2,1 x 2,1 мм² и 1,7 x 1,2 мм². Более крупное устройство имеет сопротивление RDD(on) 4,2 мОм, а меньшая версия — 9 мОм.

Эти устройства поддерживают управление затвором 5 В и двунаправленную блокировку напряжения и тока. Это делает их подходящими для защиты от перенапряжения USB, переключения нагрузки и мультиплексирования питания в многоканальных силовых архитектурах. По сравнению с кремниевыми MOSFET-транзисторами, использующими диод в подложке, эта двунаправленная блокировка помогает предотвратить нежелательный обратный ток в нижестоящие цепи.

Infineon также заявляет о примерно на 40 процентов меньшем заряде затвора, чем у сопоставимых устройств, и более чем на 85 процентов меньшем токе утечки сток-сток, чем у конкурирующих решений. В конструкциях с быстрой зарядкой эти характеристики могут помочь снизить потери при переключении и повышение температуры.

Расширение портфеля CoolGaN

Семейство CoolGaN BDS 40 V G3 теперь включает IGK048B041S, IGK120B041S и ранее выпущенный IGK080B041S. Infineon заявляет, что эти устройства удовлетворяют требованиям к коммутации питания в мобильных устройствах, от носимых устройств до ноутбуков.

Компания также связывает этот релиз со своей более широкой дорожной картой по GaN, включающей более 40 анонсов GaN-продуктов за последний год и первые образцы для клиентов, полученные в ходе масштабируемого 300-мм производства GaN.

Компания Nanopower Semiconductor объявила о начале серийного производства своей энергосберегающей микросхемы nPZero (PSIC), что знаменует собой переход от этапа оценки к крупномасштабному внедрению (см. eeNews). Устройство предназначено для IoT-приложений с батарейным питанием и сбором энергии, где энергетический бюджет остается критическим ограничением.

Этот шаг свидетельствует о доступности аппаратного подхода к снижению энергопотребления на системном уровне. Он также отражает более широкий сдвиг в сторону переноса рутинных задач сбора данных с микроконтроллеров на специализированные маломощные вспомогательные устройства.

Перенос задач сбора данных для снижения энергопотребления

Микросхема nPZero разработана для решения распространенной проблемы неэффективности в IoT-системах: необходимости частого пробуждения микроконтроллеров для опроса датчиков, даже когда не произошло никаких значимых событий. Этот периодический цикл пробуждения может значительно сокращать срок службы батареи, особенно в удаленных или требующих обслуживания системах.

Подход Nanopower переносит эту функциональность в выделенную микросхему, работающую независимо от основного микроконтроллера. nPZero может управлять конфигурацией и сбором данных для четырех датчиков, при этом микроконтроллер остается полностью выключенным.

Вместо непрерывного опроса устройство использует заданные пользователем пороговые значения и правила для определения момента активации основной системы. Только при обнаружении соответствующего события микросхема активирует микроконтроллер, что позволяет создать более событийно-ориентированную архитектуру системы.

По данным компании, этот метод позволяет снизить общее энергопотребление системы до 90% на основе внутренних испытаний.

Ориентация на долгосрочные периферийные развертывания

Архитектура предназначена для таких приложений, как интеллектуальное сельское хозяйство, промышленный мониторинг и отслеживание активов, где устройства должны работать в течение длительного времени без замены батарей или технического обслуживания.

В эталонной конфигурации, объединяющей беспроводной микроконтроллер, датчик температуры и акселерометр, nPZero продемонстрировал значительно меньшее потребление тока по сравнению с традиционными конструкциями на основе опроса. Это говорит о потенциале для увеличения срока службы устройства или уменьшения размера батареи в конструкциях с ограниченным пространством.

Помимо кремниевых компонентов, Nanopower также уделяет внимание упрощению интеграции. Компания предоставляет графический инструмент nPZero Configurator, который позволяет разработчикам определять поведение системы без обширного низкоуровневого программирования. Кроме того, автоматическая генерация API призвана сократить трудозатраты на разработку встроенного ПО и ускорить запуск системы.

Уже доступны комплекты для разработки и образцы, поддерживающие быстрое прототипирование и оценку.

Поскольку энергоэффективность становится все более важным фактором, отличающим систему от конкурентов в проектировании IoT-систем, аппаратные решения, такие как nPZero, подчеркивают растущую тенденцию к распределению интеллекта между специализированными компонентами. Это позволяет разработчикам более эффективно балансировать частоту считывания, скорость отклика и время автономной работы в периферийных устройствах следующего поколения.

Компания Renesas Electronics представила, первый в отрасли двунаправленный GaN-переключатель класса 650 В, призванный упростить преобразование энергии в различных приложениях, от солнечных микроинверторов до центров обработки данных с искусственным интеллектом и бортовых зарядных устройств для электромобилей. Новый TP65B110HRU объединяет двунаправленную блокировку тока в одном устройстве, устраняя необходимость в традиционных конфигурациях с двумя последовательно соединенными полевыми транзисторами, отмечает компания.

Для читателей eeNews Europe это событие имеет важное значение, поскольку оно решает давние проблемы эффективности и сложности в проектировании мощных преобразователей, одновременно соответствуя отраслевым тенденциям к большей плотности и упрощению архитектур.

Переход к одноступенчатому преобразованию энергии

Согласно пресс-релизу, традиционные системы преобразования энергии основаны на однонаправленных кремниевых или SiC-переключателях, что требует многоступенчатых архитектур. В солнечных микроинверторах, например, это обычно означает отдельные ступени DC-DC и DC-AC, что увеличивает количество компонентов и снижает эффективность.

Компания Renesas утверждает, что её двунаправленный подход на основе GaN обеспечивает истинное одноступенчатое преобразование. Заменив несколько переключателей всего двумя высоковольтными устройствами, инженеры могут исключить промежуточные конденсаторы звена постоянного тока и сократить количество переключателей вдвое. Компания сообщает, что в реальных условиях была достигнута эффективность более 97,5%, чему способствовали быстрое переключение и низкий заряд GaN.

По данным компании, TP65B110HRU сочетает в себе GaN-устройство с режимом обеднения и два низковольтных кремниевых MOSFET-транзистора, обеспечивая двунаправленную работу при сохранении совместимости со стандартными драйверами затвора. В отличие от решений на основе GaN с режимом обогащения, это устройство не требует отрицательного смещения затвора, что упрощает схему управления затвором и снижает стоимость системы.

Этот сдвиг может иметь более широкие последствия для проектирования систем, особенно в условиях ограниченного пространства и тепловых ограничений, таких как центры обработки данных и платформы электромобилей.

Упрощение конструкции и надёжность

Компания Renesas выделяет такие характеристики, как непрерывный выходной ток ±650 В, переходный ток ±800 В и устойчивость к dv/dt выше 100 В/нс. Устройство также включает в себя встроенные диоды для защиты от обратной проводимости и поддерживает как мягкое, так и жесткое переключение, включая венские выпрямители.

Устройство уже доступно, вместе с оценочным комплектом, поддерживающим различные конфигурации управления и реализацию мягкого переключения.

Это объявление знаменует собой потенциальный переломный момент в проектировании силовой электроники. Благодаря возможности создания более простых одноступенчатых архитектур с меньшим количеством компонентов, двунаправленные GaN-устройства могут ускорить внедрение высокоэффективных систем в секторах возобновляемой энергетики, автомобильной промышленности и инфраструктуры данных.