Компания Microchip представила силовые модули 3,3 кВ HV-D3 mSiC, предназначенные для использования с твердотельными трансформаторами в центрах обработки данных для ИИ и других высоковольтных системах электропитания. Модули интегрируют 3,3 кВ SiC MOSFET-транзисторы и диоды Шоттки в стандартном 62-мм корпусе.
Эта новость актуальна для читателей eeNews Europe, поскольку подача питания становится ограничивающим фактором в инфраструктуре ИИ. Она также указывает на то, как устройства SiC могут помочь сократить количество этапов преобразования между сетью среднего напряжения и серверными стойками.
Модули SiC для электропитания центров обработки данных высокого напряжения
Центры обработки данных для ИИ выводят архитектуры электропитания за рамки традиционных систем на основе низкочастотных трансформаторов. Твердотельные трансформаторы изучаются как способ более прямой подачи регулируемого постоянного тока из сетей среднего напряжения, что потенциально повышает эффективность и снижает сложность системы.
Компания Microchip заявляет, что модули HV-D3 mSiC разработаны для поддержки этого перехода, особенно в условиях, когда центры обработки данных переходят к распределению постоянного тока в стойках с более высоким напряжением. Устройства поддерживают изоляцию 6 кВ, используют материалы с рейтингом CTI 600 и имеют увеличенные расстояния утечки, что позволяет обеспечить безопасное последовательное соединение в высоковольтных системах.
В модулях также используется подложка из нитрида кремния, которая обеспечивает хорошую теплопроводность и устойчивость к циклам питания. Это может помочь разработчикам увеличить плотность мощности без использования более агрессивного охлаждения.
Преодоление разрыва в области высокомощных SiC
«По мере того, как центры обработки данных для ИИ продолжают расширять границы возможностей подачи питания от сети к графическим процессорам, потребность в твердотельных трансформаторах становится все более важной», — сказал Клейтон Пиллион, вице-президент подразделения высокомощных решений Microchip. «Наши силовые модули HV-D3 mSiC на 3,3 кВ позволяют разработчикам сократить количество последовательно соединенных устройств примерно вдвое по сравнению с более низковольтными альтернативами на основе SiC при подключении к сетям 13,8 кВ или 34,5 кВ. Эти устройства также заполняют ключевой пробел на промышленном рынке для продуктов на 100–300 А, обеспечивая переход от дискретных SiC-устройств к гораздо более крупным силовым модулям».
Модули HV-D3 mSiC доступны в полумостовой и конфигурации с общим истоком, с антипараллельными диодами Шоттки и без них. Компания Microchip позиционирует их для применений на 100–300 А, включая твердотельные трансформаторы, мегаваттные зарядные устройства для тяжелой техники, вспомогательные источники питания для железных дорог, средневольтные приводы двигателей и промышленные или оборонные системы электропитания.