Компания Infineon расширила семейство двунаправленных переключателей CoolGaN BDS 40 В G3 двумя устройствами для компактных портативных систем питания. IGK048B041S и IGK120B041S предназначены для смартфонов, ноутбуков и носимых устройств, где пространство на печатной плате и эффективность силового тракта остаются жесткими ограничениями при проектировании.
Для читателей eeNews Europe это обновление актуально, поскольку оно демонстрирует, как GaN продвигается дальше в низковольтные потребительские системы питания, выходя за рамки преобразования энергии в высоковольтные системы.
Двунаправленный переключатель GaN сокращает количество компонентов
Устройства CoolGaN BDS объединяют функции двух кремниевых MOSFET-транзисторов, расположенных встречно, в одном компоненте. Infineon заявляет, что это может сократить занимаемое на печатной плате пространство до 82 процентов и уменьшить количество компонентов вдвое, потенциально упрощая компоновку в портативных системах с ограниченным пространством.
«По мере того, как потребительские устройства уменьшаются в размерах, а потребности в энергии растут, инженеры сталкиваются с растущим давлением, требующим от меньшего количества компонентов большего результата. Новые устройства CoolGaN BDS напрямую решают эту задачу», — сказал Йоханнес Шойсволь, руководитель бизнес-линии GaN в Infineon. «Каждое устройство объединяет функции двух кремниевых MOSFET-транзисторов, соединенных встречно, в одном компоненте, сокращая количество компонентов вдвое и упрощая компоновку печатных плат. Команды разработчиков могут использовать существующую компоновку драйверов, избегая дорогостоящих перепроектирований и ускоряя вывод продукции на рынок. В результате получается более компактный и экономичный путь питания».
Фокус на защите USB и мультиплексировании питания
IGK048B041S и IGK120B041S предлагаются в корпусах WLCSP размером 2,1 x 2,1 мм² и 1,7 x 1,2 мм². Более крупное устройство имеет сопротивление RDD(on) 4,2 мОм, а меньшая версия — 9 мОм.
Эти устройства поддерживают управление затвором 5 В и двунаправленную блокировку напряжения и тока. Это делает их подходящими для защиты от перенапряжения USB, переключения нагрузки и мультиплексирования питания в многоканальных силовых архитектурах. По сравнению с кремниевыми MOSFET-транзисторами, использующими диод в подложке, эта двунаправленная блокировка помогает предотвратить нежелательный обратный ток в нижестоящие цепи.
Infineon также заявляет о примерно на 40 процентов меньшем заряде затвора, чем у сопоставимых устройств, и более чем на 85 процентов меньшем токе утечки сток-сток, чем у конкурирующих решений. В конструкциях с быстрой зарядкой эти характеристики могут помочь снизить потери при переключении и повышение температуры.
Расширение портфеля CoolGaN
Семейство CoolGaN BDS 40 V G3 теперь включает IGK048B041S, IGK120B041S и ранее выпущенный IGK080B041S. Infineon заявляет, что эти устройства удовлетворяют требованиям к коммутации питания в мобильных устройствах, от носимых устройств до ноутбуков.
Компания также связывает этот релиз со своей более широкой дорожной картой по GaN, включающей более 40 анонсов GaN-продуктов за последний год и первые образцы для клиентов, полученные в ходе масштабируемого 300-мм производства GaN.